A Study of Relaxation Current in High- $kappa$ Dielectric Stacks

Dielectric relaxation currents in SiO(2)/Al(2)O(3) and SiO(2)/HfO(2) high-/kappa/ dielectric stacks are studied in this paper. We studied the thickness dependence, gate voltage polarity dependence and temperature dependence of the relaxation current in high-/kappa/ dielectric stacks. It is found tha...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2004-03, Vol.51 (3), p.402-408
Hauptverfasser:	Xu, Zhen, Pantisano, L, Kerber, A, Degraeve, R, Cartier, E, De Gendt, S, Heyns, M, Groeseneken, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Density Dielectric relaxation Dielectrics Hafnium oxide Silicon dioxide Stacks Threshold voltage Trapping
Online-Zugang:	Volltext
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