Longitudinal polar optical phonons in InN/GaN single and double het- erostructures
Longitudinal optical phonon energy in InN epi‐layers has been determined independently from the Raman spectroscopy and temperature dependent Hall mobility measurements. Raman spectroscopy technique can be used to obtain directly the LO energy where LO phonon scattering dominates transport at high te...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. C 2011-05, Vol.8 (5), p.1620-1624 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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