Longitudinal polar optical phonons in InN/GaN single and double het- erostructures

Longitudinal optical phonon energy in InN epi‐layers has been determined independently from the Raman spectroscopy and temperature dependent Hall mobility measurements. Raman spectroscopy technique can be used to obtain directly the LO energy where LO phonon scattering dominates transport at high te...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. C 2011-05, Vol.8 (5), p.1620-1624
Hauptverfasser: Ardali, Sukru, Tiras, Engin, Gunes, Mustafa, Balkan, Naci, Ajagunna, Adebowale Olufunso, Iliopoulos, Eleftherios, Georgakilas, Alexandros
Format: Artikel
Sprache:eng
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