Formation of electroless barrier and seed layers in a high aspect ratio through-Si vias using Au nanoparticle catalyst for all-wet Cu filling technology
► Conformal electroless barrier and seed layers were formed in high aspect ratio TSV. ► Au nanoparticles of 20 nm diameter were used as a catalyst. ► Adhesion strength of the diffusion barrier films are enhanced with annealing at 300 °C. ► This technology enables all-wet fabrication of Cu-filled TSV...
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Veröffentlicht in: | Electrochimica acta 2011-07, Vol.56 (17), p.6245-6250 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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