Optimization of parameters for deposition of Ga-doped ZnO films by DC reactive magnetron sputtering using Taguchi method
► ZnO:Ga thin films are prepared by DC reactive magnetron sputtering. ► The Taguchi method is applied to find the optimal growth conditions. ► ZnO:Ga films have acceptable structural, electrical, and optical properties. Ga-doped ZnO (ZnO:Ga) transparent conductive films were deposited on glass subst...
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Veröffentlicht in: | Applied surface science 2011-05, Vol.257 (14), p.6125-6128 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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