Detailed analysis of charge pumping and I sub(d)V sub(g) hysteresis for profiling traps in SiO sub(2)/HfSiO(N)

By scanning 1/3 nm SiO sub(2)/HfSiO(N) gate dielectrics with variable t sub(charge)-t sub(discharge) amplitude charge pumping technique (VT super(2)ACP) and slow rate I sub(d)V sub(g) hysteresis, we study in detail the energy profile and estimate the spatial position (within SiO sub(2) or HKs layer)...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2010-12, Vol.87 (12), p.2614-2619
Hauptverfasser:	Sahhaf, S, Degraeve, R, Cho, M, De Brabanter, K, Roussel, PhJ, Zahid, M B, Groeseneken, G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Charge Density Energy levels Hysteresis Percolation Profiling Pumping Silicon dioxide
Online-Zugang:	Volltext
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