Nonlinear dynamics of doped semiconductor quantum dot lasers

We discuss the influence of wetting layer doping on the turn-on dynamics of a quantum dot (QD) laser by using a microscopically based rate equation model which separately treats the dynamics of electrons and holes. As the carrier-carrier scattering rates depend nonlinearly on the wetting layer carri...

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Veröffentlicht in:The European physical journal. D, Atomic, molecular, and optical physics Atomic, molecular, and optical physics, 2010-06, Vol.58 (2), p.167-174
Hauptverfasser: Luedge, K, Schoell, E
Format: Artikel
Sprache:eng
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