Detection and Electrical Characterization of Defects at the SiO2/4H-SiC Interface

Two electrical measurement techniques are frequently employed for the characteri- zation of traps at the SiO2/SiC interface: the thermal dielectric relaxation current (TDRC) and the conductance method (CM). When plotting Dit as a function of the energy position Eit in the bandgap both techniques rev...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science forum 2010-04, Vol.645-648, p.463-468
Hauptverfasser:	Beljakowa, Svetlana, Nanen, Yuichiro, Zippelius, Bernd, Krieger, M., Bauer, Anton J., Afanas'ev, Valeri V., Kimoto, Tsunenobu, Pensl, Gerhard
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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