Microscopic origin of the fast crystallization ability of Ge-Sb-Te phase-change memorymaterials

Ge-Sb-Te materials are used in optical DVDs and non-volatile electronic memories (phase-change random-access memory). In both, data storage is effected by fast, reversible phase changes between crystalline and amorphous states. Despite much experimental and theoretical effort to understand the phase...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Nature materials 2008-05, Vol.7 (5), p.399-405
Hauptverfasser:	Hegedues, J, Elliott, S R
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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