Phase-Change InSbTe Nanowires Grown in Situ at Low Temperature by Metal−Organic Chemical Vapor Deposition
Phase-change InSbTe (IST) single crystalline nanowires were successfully synthesized at a low temperature of 250 °C by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The growth of IST nanowires by MOCVD, at very high working pressure, was governed by supersaturation. The growth mechanism of the IST...
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Veröffentlicht in: | Nano letters 2010-02, Vol.10 (2), p.472-477 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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