Optical modulation in silicon waveguides via charge state control of deep levels

The control of defect mediated optical absorption at a wavelength of 1550 nm via charge state manipulation is demonstrated using optical absorption measurements of indium doped Silicon-On-Insulator (SOI) rib waveguides. These measurements introduce the potential for modulation of waveguide transmiss...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2009-10, Vol.17 (21), p.18571-18580
Hauptverfasser:	Logan, D F, Jessop, P E, Knights, A P, Wojcik, G, Goebel, A
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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