High performance InGaN/GaN nanorod light emitting diode arrays fabricated by nanosphere lithography and chemical mechanical polishing processes

We fabricated InGaN/GaN nanorod light emitting diode (LED) arrays using nanosphere lithography for nanorod formation, PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) grown SiO(2) layer for sidewall passivation, and chemical mechanical polishing for uniform nanorod contact. The nano-device demonstr...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Optics express 2010-04, Vol.18 (8), p.7664-7669
Hauptverfasser:	Chen, Liang-Yi, Huang, Ying-Yuan, Chang, Chun-Hsiang, Sun, Yu-Hsuan, Cheng, Yun-Wei, Ke, Min-Yung, Chen, Cheng-Pin, Huang, Jianjang
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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