Atomistic Design of Thermoelectric Properties of Silicon Nanowires

We present predictions of the thermoelectric figure of merit (ZT) of Si nanowires with diameter up to 3 nm, based upon the Boltzman transport equation and ab initio electronic structure calculations. We find that ZT depends significantly on the wire growth direction and surface reconstruction, and w...

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Veröffentlicht in:Nano letters 2008-04, Vol.8 (4), p.1111-1114
Hauptverfasser: Vo, Trinh T.M, Williamson, Andrew J, Lordi, Vincenzo, Galli, Giulia
Format: Artikel
Sprache:eng
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