Atomistic Design of Thermoelectric Properties of Silicon Nanowires
We present predictions of the thermoelectric figure of merit (ZT) of Si nanowires with diameter up to 3 nm, based upon the Boltzman transport equation and ab initio electronic structure calculations. We find that ZT depends significantly on the wire growth direction and surface reconstruction, and w...
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Veröffentlicht in: | Nano letters 2008-04, Vol.8 (4), p.1111-1114 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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