Dual Process Dielectric Formation for Decoupling Capacitors on Flexible Substrates

Large area, high density integrated capacitors within printed wiring boards can provide a substantial decoupling capacitance with very low parasitic inductance. Tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ) is an excellent dielectric for this application due to the relatively high dielectric constant (~ 22-24), ho...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	IEEE transactions on components and packaging technologies 2007-12, Vol.30 (4), p.579-584
Hauptverfasser:	Raghuveer, R., Burkett, S.L., Schaper, L.W., Ulrich, R.K., Rogers, B.R., Geil, R.D.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Alloys Anodizing Capacitors Decoupling Dielectric substrates Dielectric thin films Dielectrics High-K gate dielectrics Inductance Metal insulator metal (MIM) Oxidation Packaging Parasitic capacitance radio frequency (RF) Semiconductor thin films Sputtering Tantalum oxides Wiring
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