AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor with a double delta-doped base grown by MOVPE

Heterojunction bipolar phototransistors (HPTs), based on GaAs technology, are widely used in the optoelectronic-integrated circuit (OEIC) [H.T. Lin, D.H. Rich, A. Larsson, J. Appl. Phys. 79 (1996) 8015 [1]; Lin Chien-chung, M. Wayne, J.S. Harris Jr., F. Sugihwo, Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1188 [2]]...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2008-11, Vol.310 (23), p.5227-5231
Hauptverfasser:	Sciana, Beata, Zborowska-Lindert, Iwona, Radziewicz, Damian, Boratynski, Boguslaw, Tlaczala, Marek, Kovac, Jaroslav, Srnanek, Rudolf, Skriniarova, Jaroslava, Florovic, Martin
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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