On a Pd/InAlAs metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT)-based hydrogen sensor

The hydrogen sensing properties of a Pd/InAlAs metamorphic high electron mobility transistor (MHEMT) are investigated. Experimentally, a threshold voltage shift (Δ V th) of 260 mV is observed upon exposing to a 1% H 2/air gas. The drain current sensing response ( S R) shows the strong dependence on...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Sensors and actuators. B, Chemical Chemical, 2009-06, Vol.139 (2), p.310-316
Hauptverfasser:	Tsai, Tsung-Han, Chen, Huey-Ing, Lin, Kun-Wei, Kuo, Yaw-Wen, Chiu, Po-Shun, Chang, Chung-Fu, Chen, Li-Yang, Chen, Tzu-Pin, Liu, Yi-Jung, Liu, Wen-Chau
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Hydrogen InAlAs MHEMT Sensing response
Online-Zugang:	Volltext
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