Surface passivation schemes for high-efficiency n-type Si solar cells

An effective passivation on the front side boron emitter is essential to utilize the full potential of solar cells fabricated on n‐type silicon. However, recent investigations have shown that it is more difficult to achieve a low surface recombination velocity on highly doped p‐type silicon than on...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters 2008-08, Vol.2 (4), p.145-147
Hauptverfasser:	Benick, Jan, Schultz-Wittmann, Oliver, Schön, Jonas, Glunz, Stefan W.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	73.20.Hb 81.65.Rv 84.60.Bk 84.60.Jt
Online-Zugang:	Volltext
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