Surface modification of single-crystal boron-doped diamond electrodes for low background current
An all-diamond sub-microelectrode array structure with an insulating cap layer was fabricated on 100-oriented single crystal diamond substrate by epitaxial growth. The cap layer represented a nitrogen-doped layer on top of a highly boron doped film, thus forming a surface p–n junction. The presence...
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Veröffentlicht in: | Diamond and related materials 2009-05, Vol.18 (5), p.816-819 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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