Surface modification of single-crystal boron-doped diamond electrodes for low background current

An all-diamond sub-microelectrode array structure with an insulating cap layer was fabricated on 100-oriented single crystal diamond substrate by epitaxial growth. The cap layer represented a nitrogen-doped layer on top of a highly boron doped film, thus forming a surface p–n junction. The presence...

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Veröffentlicht in:Diamond and related materials 2009-05, Vol.18 (5), p.816-819
Hauptverfasser: Pietzka, C., Denisenko, A., Kibler, L.A., Scharpf, J., Men, Y., Kohn, E.
Format: Artikel
Sprache:eng
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