Enhanced TID Susceptibility in Sub-100 nm Bulk CMOS I/O Transistors and Circuits
This paper evaluates the radiation responses of 2.5 V I/O transistors and regular-threshold MOSFETs from a 90 nm commercial bulk CMOS technology. The data obtained from Co ionizing radiation experiments indicate enhanced TID susceptibility in I/O devices and circuits, which is attributed to the p-ty...
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Veröffentlicht in: | IEEE transactions on nuclear science 2007-12, Vol.54 (6), p.2210-2217 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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