Enhanced TID Susceptibility in Sub-100 nm Bulk CMOS I/O Transistors and Circuits

This paper evaluates the radiation responses of 2.5 V I/O transistors and regular-threshold MOSFETs from a 90 nm commercial bulk CMOS technology. The data obtained from Co ionizing radiation experiments indicate enhanced TID susceptibility in I/O devices and circuits, which is attributed to the p-ty...

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Veröffentlicht in:IEEE transactions on nuclear science 2007-12, Vol.54 (6), p.2210-2217
Hauptverfasser: McLain, M., Barnaby, H.J., Holbert, K.E., Schrimpf, R.D., Shah, H., Amort, A., Baze, M., Wert, J.
Format: Artikel
Sprache:eng
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