Atomic structure of the m-plane AlN/SiC interface

High-temperature m-plane AlN nucleation layers have been used for the growth of planar GaN films by metalorganic chemical vapor deposition on (1 0 1¯ 0) m-plane 6H-SiC substrates. Structural studies using transmission electron microscopy reveal the presence of a novel AlN intermediary layer precedin...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2009-03, Vol.311 (6), p.1456-1459
Hauptverfasser:	Zhou, Lin, Ni, X., Özgür, Ü., Morkoç, H., Devaty, R.P., Choyke, W.J., Smith, David J.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	A1. Characterization A3. Metalorganic chemical vapor deposition B1. Nitrides
Online-Zugang:	Volltext
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