An atomic view of Fermi level pinning of Ge(100) by O2

An experimental atomic-level study of the structural and electronic properties of the oxidation of the Ge(100) surface was performed using scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS). Room-temperature O2-dosed Ge(100) surfaces at sub-monolayer coverages (with and without post-oxidatio...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Surface science 2008-07, Vol.602 (14), p.2373-2381
Hauptverfasser:	Grassman, Tyler J., Bishop, Sarah R., Kummel, Andrew C.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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