The effect of porogen loading on the stiffness and fracture energy of brittle organosilicates
Integrating porous low-permittivity dielectrics into Cu metallization is one of the strategies to reduce power consumption, signal propagation delays, and crosstalk between interconnects for the next generation of integrated circuits. The porosity and pore structure of these low-k dielectric materia...
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Veröffentlicht in: | Journal of materials research 2009-01, Vol.24 (1), p.107-116 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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