The effect of porogen loading on the stiffness and fracture energy of brittle organosilicates

Integrating porous low-permittivity dielectrics into Cu metallization is one of the strategies to reduce power consumption, signal propagation delays, and crosstalk between interconnects for the next generation of integrated circuits. The porosity and pore structure of these low-k dielectric materia...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of materials research 2009-01, Vol.24 (1), p.107-116
Hauptverfasser: Li, Han, Lin, Youbo, Tsui, Ting Y., Vlassak, Joost J.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!