Characterization of Ru and RuO2 thin films prepared by pulsed metal organic chemical vapor deposition
Ultra‐thin ruthenium (Ru) layers were fabricated by pulsed metal organic chemical vapor deposition in an Aixtron Tricent reactor using a metal‐organic Ru precursor. Layer deposition was performed on different metal barrier combinations and on Al2O3 dielectric layers used in the fabrication of advanc...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. C 2008-05, Vol.5 (5), p.1231-1234 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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