Characterization of Ru and RuO2 thin films prepared by pulsed metal organic chemical vapor deposition

Ultra‐thin ruthenium (Ru) layers were fabricated by pulsed metal organic chemical vapor deposition in an Aixtron Tricent reactor using a metal‐organic Ru precursor. Layer deposition was performed on different metal barrier combinations and on Al2O3 dielectric layers used in the fabrication of advanc...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica status solidi. C 2008-05, Vol.5 (5), p.1231-1234
Hauptverfasser: Roeder, G., Manke, C., Baumann, P. K., Petersen, S., Yanev, V., Gschwandtner, A., Ruhl, G., Petrik, P., Schellenberger, M., Pfitzner, L., Ryssel, H.
Format: Artikel
Sprache:eng
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