Fe in III-V and II-VI semiconductors

Many theoretical and experimental studies deal with the realization of room‐temperature ferromagnetism in dilute magnetic semiconductors (DMS). However, a detailed quantitative understanding of the electronic properties of transition metal doped semiconductors has often been neglected. This article...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Physica Status Solidi (b) 2008-03, Vol.245 (3), p.455-480
Hauptverfasser: Malguth, Enno, Hoffmann, Axel, Phillips, Matthew R.
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!