Fe in III-V and II-VI semiconductors
Many theoretical and experimental studies deal with the realization of room‐temperature ferromagnetism in dilute magnetic semiconductors (DMS). However, a detailed quantitative understanding of the electronic properties of transition metal doped semiconductors has often been neglected. This article...
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Veröffentlicht in: | Physica Status Solidi (b) 2008-03, Vol.245 (3), p.455-480 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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