Evolution of mechanical properties of SiC under helium implantation

Mechanical property changes of 4H–SiC implanted at room temperature with helium ions at fluences ranging from 7 × 10 15 to 1 × 10 17 cm −2 and at an ion energy of 50 keV were investigated by using nano-indentation tests and subsequent atomic force microscopy investigations. Degradation of the mechan...

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Veröffentlicht in:Journal of nuclear materials 2008-02, Vol.373 (1), p.142-149
Hauptverfasser: Tromas, C., Audurier, V., Leclerc, S., Beaufort, M.F., Declémy, A., Barbot, J.F.
Format: Artikel
Sprache:eng
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