Evolution of mechanical properties of SiC under helium implantation
Mechanical property changes of 4H–SiC implanted at room temperature with helium ions at fluences ranging from 7 × 10 15 to 1 × 10 17 cm −2 and at an ion energy of 50 keV were investigated by using nano-indentation tests and subsequent atomic force microscopy investigations. Degradation of the mechan...
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Veröffentlicht in: | Journal of nuclear materials 2008-02, Vol.373 (1), p.142-149 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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