Contaminant-free layer-by-layer annealing to improve the properties of HfO2/SiO2 optical films for the fs laser
The low laser-induced damage threshold (LIDT) of HfO2/SiO2 films is an important factor in limiting the further development of high repetition rate femtosecond (fs) laser systems. Conventional whole-layer annealing can effectively improve the properties of SiO2 films, but it is difficult to improve...
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Veröffentlicht in: | Optics express 2024-08, Vol.32 (17), p.29301 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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