Device simulation study of multilayer MoS2Schottky barrier field-effect transistors
Molybdenum disulfide (MoS2) is a representative two-dimensional layered transition-metal dichalcogenide semiconductor. Layer-number-dependent electronic properties are attractive in the development of nanomaterial-based electronics for a wide range of applications including sensors, switches, and am...
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Veröffentlicht in: | Nanotechnology 2024-10, Vol.36 (3) |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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