Device simulation study of multilayer MoS2Schottky barrier field-effect transistors

Molybdenum disulfide (MoS2) is a representative two-dimensional layered transition-metal dichalcogenide semiconductor. Layer-number-dependent electronic properties are attractive in the development of nanomaterial-based electronics for a wide range of applications including sensors, switches, and am...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Nanotechnology 2024-10, Vol.36 (3)
Hauptverfasser: He, Zhuoyang, Yang, HeeBong, Young Kim, Na
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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