NO2-Sensitive SnO2 Nanoparticles Prepared Using a Freeze-Drying Method

The n-type semiconductor SnO2 with a wide band gap (3.6 eV) is massively used in gas-sensitive materials, but pure SnO2 still suffers from a high operating temperature, low response, and tardy responding speed. To solve these problems, we prepared small-sized pure SnO2 using hydrothermal and freeze-...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Materials 2024-07, Vol.17 (15), p.3714
Hauptverfasser: Liu, Lin, Zhao, Jinbo, Jin, Zhidong, Liu, Fei, Zhao, Dewen, Liu, Zhengyang, Wang, Fenglong, Wang, Zhou, Liu, Jiurong, Wu, Lili
Format: Artikel
Sprache:eng
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