Electric Field Manipulation of Defects and Schottky Barrier Control inside ZnO Nanowires

We directly measure the three-dimensional movement of intrinsic point defects driven by applied electric fields inside ZnO nano- and micro-wire metal–semiconductor–metal device structures. Using depth- and spatially resolved cathodoluminescence spectroscopy (CLS) in situ to map the spatial distribut...

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Veröffentlicht in:ACS applied materials & interfaces 2023-06, Vol.15 (25), p.30944-30955
Hauptverfasser: Haseman, Micah S., Gao, Hantian, Duddella, Kalpak, Brillson, Leonard J.
Format: Artikel
Sprache:eng
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