FTIR Ellipsometry Analysis of the Internal Stress in SiC/Si MEMS

The resonant frequencies and quality factors of MEMS and NEMS depend critically on the layer quality and the residual stress in the SiC/Si heterostructure. It is demonstrated, that FTIRellipsometry is a suitable technique for monitoring the inhomogeneous residual stress inside SiC/Si heterostructure...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials science forum 2007-01, Vol.556-557, p.363-366
Hauptverfasser:	Cimalla, Volker, Hein, Matthias A., Pezoldt, Joerg, Brueckner, Klemens, Förster, Christian, Ambacher, Oliver, Stephan, Ralf, Will, Florentina
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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