In Situ Monitoring of Silicon Plasma Etching Using a Quantum Cascade Laser Arrangement

In etch plasmas used for semiconductor processing, concentrations of the precursor gas NF3 and of the etch product SiF4 are measured online and in situ using a new diagnostic arrangement, the Q‐MACS Etch system, which is based on quantum cascade laser absorption spectroscopy (QCLAS). In addition, th...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chemical vapor deposition 2007-07, Vol.13 (6-7), p.351-360
Hauptverfasser:	Stancu, G. D., Lang, N., Röpcke, J., Reinicke, M., Steinbach, A., Wege, S.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Interferometry Lasers Lasers, quantum cascade Patterning Plasma etching quantum cascade Semiconductors
Online-Zugang:	Volltext
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