Defect-selective etching of aluminum nitride single crystals

We have investigated defect‐selective wet chemical etching of freestanding AlN single crystals in a molten NaOH‐KOH eutectic at temperatures ranging from 240 °C to 400 °C. On nitrogen polar basal planes, hexagonal pyramids/hillocks exceeding 100 µm in diameter may form within seconds of etching at 2...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2007-06, Vol.4 (7), p.2609-2612
Hauptverfasser:	Bickermann, M., Schmidt, S., Epelbaum, B. M., Heimann, P., Nagata, S., Winnacker, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	61.72.Ff 61.72.Lk 68.37.Hk 81.05.Ea 81.65.Cf
Online-Zugang:	Volltext
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