Metamorphic growth of 1.25-1.29mum InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy

We demonstrate 1.25-1.29mum metamorphic laser diodes grown on GaAs by molecular beam epitaxy (MBE) using an alloy-graded buffer layer (GBL). Use of Be in the GBL is effective to reduce surface/interface roughness and improves optical quality. The RMS surface roughness of the optimized metamorphic la...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2007-04, Vol.301-302, p.971-974
Hauptverfasser:	Tangring, I, Wang, S M, Sadeghi, M, Larsson, A, Wang, X D
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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