Ab initio study of high permittivity phase stabilization in HfSiO

Using ab initio simulations we calculate the influence of Si doping on the dielectric constant of HfSiO. It is shown that the tetragonal phase becomes more stable upon Si doping than the monoclinic phase which is preferred for pure HfO 2. The stabilization of the tetragonal phase has a strong impact...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Microelectronic engineering 2007-09, Vol.84 (9), p.2039-2042
Hauptverfasser:	Fischer, D., Kersch, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	ab initio Applied sciences Dielectric constant Doping Electronics Exact sciences and technology HfO 2 High-k dielectric Materials Phase stabilization
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!