Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition

Various techniques for morphological evolution of InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) structures grown by metalorganic chemical vapor deposition have been evaluated. Atomic force microscopy, photoluminescence (PL) and X-ray diffraction measurements have been used for characterization. It is shown...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of crystal growth 2007-03, Vol.300 (2), p.324-329
Hauptverfasser:	Suihkonen, S., Lang, T., Svensk, O., Sormunen, J., Törmä, P.T., Sopanen, M., Lipsanen, H., Odnoblyudov, M.A., Bougrov, V.E.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	A3. Metalorganic chemical vapor deposition B1. InGaN B1. Quantum wells
Online-Zugang:	Volltext
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