The role of vacancies in the red luminescence from Mg-doped GaN
The red (1.8 eV) photoluminescence (PL) band often observed in Mg‐doped GaN has been suggested to be due to a recombination process involving vacancy‐related deep defects. To identify the defects concerned, optically‐detected magnetic resonance (ODMR) and positron annihilation spectroscopy (PAS) exp...
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Veröffentlicht in: | Physica status solidi. C 2006-06, Vol.3 (6), p.1919-1922 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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