The role of vacancies in the red luminescence from Mg-doped GaN

The red (1.8 eV) photoluminescence (PL) band often observed in Mg‐doped GaN has been suggested to be due to a recombination process involving vacancy‐related deep defects. To identify the defects concerned, optically‐detected magnetic resonance (ODMR) and positron annihilation spectroscopy (PAS) exp...

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Veröffentlicht in:Physica status solidi. C 2006-06, Vol.3 (6), p.1919-1922
Hauptverfasser: Zeng, S., Aliev, G. N., Wolverson, D., Davies, J. J., Bingham, S. J., Abdulmalik, D. A., Coleman, P. G., Wang, T., Parbrook, P. J.
Format: Artikel
Sprache:eng
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