Carrier-induced coherent acoustic phonon excitation in strain engineered InAs/GaAs quantum dot clusters

Strain engineered InAs/GaAs quantum dot (QD) clusters grown on (311)B GaAs are studied by means of time‐resolved differential reflection spectroscopy revealing coherent excitation of the quasilongitudinal and quasitransverse acoustic phonon modes. Photogenerated carriers which are captured within th...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2006-12, Vol.3 (11), p.3713-3716
Hauptverfasser:	Bogaart, E. W., van Lippen, T., Nötzel, R., Haverkort, J. E. M., Wolter, J. H.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	63.20.+m 77.65.Ly 77.67.Hc 78.47.+p 78.55.Cr
Online-Zugang:	Volltext
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