In-situ monitoring of MOVPE growth with reflectance anisotropy spectroscopy in an industrial used multi wafer reactor

We investigated structures grown in an industrial used multi wafer MOVPE reactor, in order to understand the influence of the growth parameters on the RAS spectra. We investigated the effect of p‐ and n‐type doping on the RAS spectra of different materials important for optoelectronic devices such a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2006-03, Vol.3 (3), p.655-658
Hauptverfasser:	Krahmer, C., Philippens, M., Schubert, M., Streubel, K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	68.35.Bs 78.40.Fy 81.05.Ea 81.15.Kk 81.70.Fy 85.30.De
Online-Zugang:	Volltext
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