Nanomechanical properties of silicon-, oxygen- and nitrogen-containing a-C:H films prepared by RF plasma beam CVD
The mechanical properties like hardness and reduced modulus of Si-, SiO x - and SiN x -containing a-C:H films (denoted as DLCSi, DLCSiO and DLCSiN), deposited respectively from tetramethylsilane, hexamethyldisiloxane and hexamethyldisilazane precursors onto silicon wafer by electron cyclotron wave r...
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Veröffentlicht in: | Thin solid films 2005-06, Vol.482 (1), p.188-191 |
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Hauptverfasser: | , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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