Nanomechanical properties of silicon-, oxygen- and nitrogen-containing a-C:H films prepared by RF plasma beam CVD

The mechanical properties like hardness and reduced modulus of Si-, SiO x - and SiN x -containing a-C:H films (denoted as DLCSi, DLCSiO and DLCSiN), deposited respectively from tetramethylsilane, hexamethyldisiloxane and hexamethyldisilazane precursors onto silicon wafer by electron cyclotron wave r...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Thin solid films 2005-06, Vol.482 (1), p.188-191
Hauptverfasser: Tóth, A., Mohai, M., Ujvári, T., Bertóti, I.
Format: Artikel
Sprache:eng
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