Effect of Temperature on Novel InAlGaP∕GaAs∕InGaAs Camel-Gate Pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistors

As an alternative to AlGaAs/GaAs and InGaP/GaAs camel-gate heterostructure field-effect transistors (CAMFETs) for microwave applications, InAlGaP/GaAs/InGaAs pseudomorphic high-electron-mobility transistors (CAM-pHEMTs) are shown to have high breakdown voltage, high broad-plateau extrinsic transcond...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2006, Vol.153 (5), p.G498-G501
Hauptverfasser:	Lin, Yu-Shyan, Hsieh, Yu-Lung
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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