Low-frequency noise in AlGaN/GaN HEMT structures with AlN thin film layer

Low‐frequency noise in AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) heterostructures with additional AlN thin barrier layer is investigated. Transmission line model structures with different lengths of the conducting channel formed by polarization effects at the heterointerface of undoped AlGa...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Physica status solidi. C 2006-06, Vol.3 (6), p.2329-2332
Hauptverfasser:	Vitusevich, S. A., Antoniuk, O. A., Petrychuk, M. V., Danylyuk, S. V., Kurakin, A. M., Belyaev, A. E., Klein, N.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	72.70.+m 73.61.Ey 85.30.Tv
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!