Low-Energy Ion Implantation Using the Arsenic Dimer Ion: Process Characterization and Throughput Improvement

Low-energy arsenic implants used in the formation of ultrashallow junctions are characterized on a high current ion implanter. Significant advantages in beam current and process throughput are demonstrated by using the arsenic dimer ion (As+2) for implant energies lower than 5 keV. Dimer implants re...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2005-01, Vol.152 (8), p.G623-G626
Hauptverfasser:	Kopalidis, Peter, Freer, Brian S, Rathmell, Mark
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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