Formation of InGaN nanorods with indium mole fractions by hydride vapor phase epitaxy

This work demonstrates the formation of InGaN nanorod arrays with indium mole fractions by hydride vapor phase epitaxy. The nanorods grown on (0001) sapphire substrates are preferentially oriented in the c‐axis direction. We found that the In mole fractions in the nanorods were linearly increased at...

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Veröffentlicht in:Physica Status Solidi (b) 2004-10, Vol.241 (12), p.2802-2805
Hauptverfasser: Kim, Hwa-Mok, Lee, Hosang, Kim, Suk Il, Ryu, Sung Ryong, Kang, Tae Won, Chung, Kwan Soo
Format: Artikel
Sprache:eng
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Online-Zugang:Volltext
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