SiC MESFETs for High-Frequency Applications

Significant progress has been made in the development of SiC metal semiconductor field-effect transistors (MESFETs) and monolithic microwave integrated-circuit (MMIC) power amplifiers for high-frequency power applications. Three-inch-diameter high-purity semi-insulating 4H-SiC substrates have been u...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	MRS bulletin 2005-04, Vol.30 (4), p.308-311
Hauptverfasser:	Sriram, S., Ward, A., Henning, J., Allen, S. T.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	MESFETs MMICs reliability rf power silicon carbide Technical Feature trapping
Online-Zugang:	Volltext
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