Heteroepitaxy of GaN on Silicon: In Situ Measurements

Due to the lack of GaN wafers, so far, group-III nitrides are mostly grown on sapphire or SiC substrates. Silicon offers an attractive alternative because of its low cost, large wafer area, and physical benefits such as the possibility of chemical etching, lower hardness, good thermal conductivity,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Materials Science Forum 2005-05, Vol.483-485, p.1051-1056
Hauptverfasser:	Schulze, F., Haberland, K., Dadgar, Armin, Clos, R., Zettler, T., Krost, A.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!