Accelerating the transient simulation of semiconductor devices using filter-bank transforms

Simulation of high frequency semiconductor devices, where non‐local and hot carrier transport cannot be ignored, requires solution of Poisson's equation and at least the first three moments of the Boltzmann transport equation (hydrodynamic transport model). These equations form non‐linear, coup...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:International journal of numerical modelling 2006-01, Vol.19 (1), p.47-67
Hauptverfasser: Movahhedi, M., Abdipour, A., Dehghan, M.
Format: Artikel
Sprache:eng
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