Characterization of Crystal-Originated Particles in Silicon Nitride Doped, CZ-Grown Silicon Wafers
Grown-in crystal-originated particles (COPs) on the surface of silicon nitride-doped Czochralski (CZ)-grown silicon wafers were characterized using atomic force microscopy and scanning electron microscopy. These nanometer-scale COPS are categorized into kite-shaped, parallelepiped-plate and needle-s...
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Veröffentlicht in: | Journal of the Electrochemical Society 2006, Vol.153 (3), p.G248-G252 |
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Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
Online-Zugang: | Volltext |
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