Characterization of Crystal-Originated Particles in Silicon Nitride Doped, CZ-Grown Silicon Wafers

Grown-in crystal-originated particles (COPs) on the surface of silicon nitride-doped Czochralski (CZ)-grown silicon wafers were characterized using atomic force microscopy and scanning electron microscopy. These nanometer-scale COPS are categorized into kite-shaped, parallelepiped-plate and needle-s...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Journal of the Electrochemical Society 2006, Vol.153 (3), p.G248-G252
Hauptverfasser: Lee, W. P., Yow, H. K., Tou, T. Y.
Format: Artikel
Sprache:eng
Online-Zugang:Volltext
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