Annealing Effect of Transparent Ohmic Contacts to n-ZnO Epitaxial Films

ZnO epitaxial films were grown on sapphire substrates by molecular beam epitaxy. The diffraction pattern shows an extremely strong ZnO (0002) peak at 34.43DG with a full width half-maximum of 0.19DG. Low resistivity and highly transparent indium tin oxide (ITO), RuOz(1 < or = x < or = 2), and...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Journal of the Electrochemical Society 2006, Vol.153 (2), p.G141-G143
Hauptverfasser:	Chiou, Yu-Zung, Lin, Kuan-Wei
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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