Nb/Al-AlOx/Nb edge junctions for distributed mixers

We have fabricated high quality Nb/Al-oxide/Al/Nb edge junctions using a Nb/SiO/sub 2/ bi-layer film as the base electrode, suitable for use as traveling wave mixers. An edge is cut in the bi-layer with an ion gun at a 45 degree angle using a photoresist mask. The wafer is then cleaned in-situ with...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:IEEE transactions on applied superconductivity 1999-06, Vol.9 (2), p.3878-3881
Hauptverfasser: Amos, R.S., Lichtenberger, A.W., Tong, C.E., Blundell, R., Pan, S.-K., Kerr, A.R.
Format: Artikel
Sprache:eng
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