Experimental determination of the maximum post-process annealing temperature for standard CMOS wafers

This paper reports on the experimental determination of the maximum post-process annealing temperature for standard 0.35 /spl mu/m CMOS wafers with aluminum based interconnections and tungsten plugs, without introducing significant modifications to their standard characteristics. The impact of incre...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE transactions on electron devices 2001-02, Vol.48 (2), p.377-385
Hauptverfasser:	Sedky, S., Witvrouw, A., Bender, H., Baert, K.
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Aluminum Aluminum base alloys Annealing CMOS CMOS integrated circuits Interconnections Leakage current Wafers
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