Epitaxial n(+) layer GaAs mesa-finger interdigital surfacephotodetectors

Several varieties of interdigital surface photodetectors have been fabricated on semi-insulating GaAs using mesa-etched n( ) epitaxial layers as the carrier collection electrodes. This structure provides a significant responsivity improvement over conventional metal-semiconductor-metal (MSM) photodi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE electron device letters 1989-10, Vol.10 (10), p.461-463
Hauptverfasser:	Darling, R B, Nabet, B, Samaras, J E, Ray, S, Carter, E L
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
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